W tym artykule nauczymy Cię o różnicach między tranzystorami BJT i FET, w tym o ich funkcjach i różnicach między typami BJT, MOSFET i IGBT. Ten przewodnik zapewni Ci jasne zrozumienie działania tych tranzystorów i różnic między nimi.
Jaka jest różnica między tranzystorem BJT a tranzystorem FET?
BJT (tranzystor bipolarny) i FET (tranzystor polowy) to dwa podstawowe typy tranzystorów, każdy o innej zasadzie działania i charakterystyce.
- BJT (tranzystor złączowy bipolarny): BJT wykorzystuje nośniki ładunku elektronów i dziur do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych. Ma trzy warstwy: emiter, bazę i kolektor. Przepływ prądu przez tranzystor jest kontrolowany przez prąd przyłożony do bazy. BJT są znane z dużego wzmocnienia prądowego i są powszechnie stosowane w obwodach wzmacniających.
- FET (tranzystor polowy): Z drugiej strony FET steruje przepływem prądu za pomocą pola elektrycznego. Ma trzy zaciski: źródło, bramę i dren. Napięcie przyłożone do bramki steruje prądem płynącym od źródła do drenu. Tranzystory FET są znane ze swojej wysokiej impedancji wejściowej i są powszechnie stosowane w zastosowaniach przełączania i wzmacniania sygnału.
Jaka jest różnica między BJT, tranzystorem typu MOSFET i IGBT?
BJT, MOSFET i IGBT to różne typy tranzystorów o unikalnych właściwościach i zastosowaniach:
- BJT (tranzystor bipolarny): Jak wspomniano wcześniej, BJT wykorzystują zarówno nośniki ładunku elektronowego, jak i dziurowego i są sterowane prądem. Są znane z dużego wzmocnienia prądowego i są często używane w obwodach analogowych i wzmocnieniach.
- MOSFET (tranzystor polowy z metalicznym tlenkiem i półprzewodnikiem): MOSFET to rodzaj tranzystora polowego FET z izolowaną bramką. Wykorzystuje napięcie do kontrolowania przepływu prądu między źródłem a drenem. Tranzystory MOSFET są bardzo wydajne i są powszechnie stosowane w obwodach cyfrowych i przełączaniu mocy ze względu na ich wysoką impedancję wejściową i duże prędkości przełączania.
- IGBT (tranzystor bipolarny z izolowaną bramką): IGBT łączy w sobie cechy MOSFET i BJT. Ma izolowaną bramkę jak MOSFET, ale wykorzystuje złącze bipolarne do przewodzenia prądu. Tranzystory IGBT są stosowane w zastosowaniach wymagających dużej mocy, takich jak napędy silników i przetwornice mocy, ze względu na ich zdolność do wydajnej obsługi wysokich napięć i prądów.
Co to jest funkcja tranzystora FET?
Tranzystor FET działa jako przełącznik lub wzmacniacz sterowany napięciem. Kluczową cechą tranzystora FET jest jego zdolność do kontrolowania przepływu prądu pomiędzy zaciskami źródła i drenu poprzez przyłożenie napięcia do zacisku bramki. Napięcie to wytwarza pole elektryczne, które wpływa na przewodność kanału półprzewodnikowego, umożliwiając tranzystorowi FET zezwolenie lub zablokowanie przepływu prądu. Tranzystory FET są wykorzystywane w różnych zastosowaniach, w tym we wzmacnianiu sygnału, obwodach przełączających i elektronicznych systemach sterowania.
Co robi tranzystor BJT?
Tranzystor BJT działa jako przełącznik lub wzmacniacz sterowany prądem. Działa poprzez wykorzystanie prądu przyłożonego do zacisku podstawy do kontrolowania większego prądu przepływającego pomiędzy zaciskami emitera i kolektora. BJT może wzmacniać słabe sygnały poprzez zwiększenie ich siły i jest szeroko stosowany w obwodach analogowych, przetwarzaniu sygnałów i zastosowaniach przełączających. Jego zdolność do radzenia sobie z wysokim prądem i zapewniania znacznego wzmocnienia sprawia, że jest to kluczowy element wielu urządzeń elektronicznych.
Mam nadzieję, że to wyjaśnienie wyjaśniło różnice między tranzystorami BJT i FET, w tym charakterystykę tranzystorów MOSFET i IGBT. Zrozumienie tych koncepcji pomoże Ci wybrać odpowiedni typ tranzystora do konkretnych zastosowań.
