In dit bericht vindt u een gedetailleerde verkenning van Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT’s), hun functionaliteit, gerelateerde componenten en praktische problemen.
Wat is IGBT en waarvoor wordt het gebruikt?
Een IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) is een type transistor dat de kenmerken van zowel MOSFET’s als bipolaire transistors combineert.
- Functie: Het wordt gebruikt voor schakelen en versterken in toepassingen met hoog vermogen.
- Toepassingen: IGBT’s worden vaak gebruikt in stroomomvormers, motoraandrijvingen en inductieverwarming vanwege hun hoge efficiëntie en het vermogen om hoge spanning en stroom aan te kunnen.
Wat doet het IGBT-bestuurdersbord?
Het IGBT-stuurbord is verantwoordelijk voor het besturen en aansturen van de IGBT-modules.
- Functie: Het levert de noodzakelijke poortspanning om de IGBT in en uit te schakelen en bevat beveiligingsfuncties om een veilige en betrouwbare werking te garanderen.
- Componenten: Bevat doorgaans poortdrivers, besturingscircuits en beveiligingscircuits om de werking van de IGBT te beheren en de prestaties ervan te verbeteren.
Wat zijn MOSFET en IGBT?
MOSFET’s (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) en IGBT’s zijn beide typen transistors die worden gebruikt voor schakelen en versterken, maar ze hebben verschillende kenmerken.
- MOSFET: Meestal gebruikt voor toepassingen met laag tot gemiddeld vermogen, bekend om het snelle schakelen en de lage aan-weerstand.
- IGBT: Gebruikt voor toepassingen met hoog vermogen, combineert de hoge ingangsimpedantie van MOSFET’s met het hoge stroomvoerende vermogen van bipolaire transistors.
Waarom raakt IGBT opgebrand?
IGBT’s kunnen door verschillende factoren opbranden, waaronder:
- Overspanning: Het overschrijden van de nominale spanning kan defecten en schade veroorzaken.
- Overstroom: Overmatige stroom kan leiden tot oververhitting en uiteindelijk falen.
- Thermische stress: Onvoldoende koeling of hoge omgevingstemperaturen kunnen leiden tot oververhitting en burn-out.
Hoe IGBT meten?
Het meten van een IGBT omvat het controleren van de prestatieparameters om er zeker van te zijn dat deze correct functioneert.
- Gate-Emitter Voltage (V_GE): Meet de spanning tussen de gate- en emitterterminals om te controleren of de gate-drive goed is.
- Collector-Emitter-spanning (V_CE): Meet de spanning tussen de collector- en emitteraansluitingen om er zeker van te zijn dat deze binnen het operationele bereik ligt.
- Stroom: Controleer de stroom die door het collector-emitterpad loopt om er zeker van te zijn dat deze binnen de specificaties ligt.
We hopen dat dit artikel u heeft geholpen meer te weten te komen over IGBT’s, hun toepassingen en gerelateerde meettechnieken.
